IRFH4257DTRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFH4257DTRPBF 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.259984 +200：￥6.883344 +500：￥5.50656 +1000：￥4.588848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1321pF 13V 功率 - 最大值： 25W，28W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装：双 PQFN（5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1321pF 13V 功率 - 最大值： 25W，28W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装：双 PQFN（5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1321pF 13V 功率 - 最大值： 25W，28W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装：双 PQFN（5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Dual PQFN (5x4)
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Dual PQFN (5x4)
	IRFH4257DTRPBF International 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN 下载数据手册未分类	+306：￥12.211505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 35µA Supplier Device Package： Dual PQFN (5x4)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4257DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1321pF 13V 功率 - 最大值： 25W，28W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装：双 PQFN（5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH4257DTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1321pF 13V
功率 - 最大值:	25W，28W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	双 PQFN（5x4）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）