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	IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.415999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.758733 +200：￥9.980685 +500：￥7.326308 +2000：￥5.308875 +4000：￥5.043401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.423034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥7.878575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥6.851568 +100：￥6.595554 +500：￥6.411 +1000：￥6.231084 +2000：￥6.082365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.99437 +10：￥6.662363 +50：￥6.344248 +100：￥6.159491 +500：￥5.980291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.976398 +10：￥4.229962 +30：￥4.147076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥7.888635 +4000：￥7.688135 +10000：￥7.55443 +40000：￥6.351078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF 授权代理品牌	IRFR4510TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥4.971074 +500：￥4.588595 +2000：￥4.206346 +6000：￥3.823867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.835294 +6000：￥4.653476 +10000：￥4.499461	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFR4510TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.9 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	81 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3031 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥7.878575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥6.851568 +100：￥6.595554 +500：￥6.411 +1000：￥6.231084 +2000：￥6.082365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.99437 +10：￥6.662363 +50：￥6.344248 +100：￥6.159491 +500：￥5.980291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.976398 +10：￥4.229962 +30：￥4.147076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥7.888635 +4000：￥7.688135 +10000：￥7.55443 +40000：￥6.351078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR4510TRPBF 授权代理品牌	IRFR4510TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥4.971074 +500：￥4.588595 +2000：￥4.206346 +6000：￥3.823867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数