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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.243344 +200：￥13.536144 +500：￥10.8288 +1000：￥9.024048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A，303A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.75 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1735pF 13V 功率 - 最大值： 156W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN（6x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A，303A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.75 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1735pF 13V 功率 - 最大值： 156W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN（6x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A，303A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.75 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1735pF 13V 功率 - 最大值： 156W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN（6x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN (6x6)
	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN (6x6)
	IRFHE4250DTRPBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+168：￥21.189284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 32-PowerVFQFN Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package： 32-PQFN (6x6) Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHE4250DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A，303A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.75 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1735pF 13V 功率 - 最大值： 156W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 32-PowerWFQFN 供应商器件封装： 32-PQFN（6x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFHE4250DTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	FASTIRFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	86A，303A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.75 毫欧 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1735pF 13V
功率 - 最大值:	156W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	32-PowerWFQFN
供应商器件封装:	32-PQFN（6x6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）