IXTX3N250L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX3N250L 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥518.575452 +200：￥200.679314 +500：￥193.631224 +1000：￥190.145425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX3N250L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET DISCRETE TO-247P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥482.379164	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 2500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX3N250L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET DISCRETE TO-247P 下载数据手册晶体管	+300：￥939.164461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 2500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 417W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTX3N250L参数规格

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