IRFR4620TRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.50648 +10：￥4.145963 +30：￥4.073859 +100：￥3.857549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.007305 +200：￥6.76753 +800：￥4.967655 +3000：￥3.59975 +6000：￥3.419823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.867944 +10：￥4.873562 +30：￥4.381835 +100：￥3.879181 +500：￥2.939436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.06344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥10.684545 +6000：￥10.282778 +9000：￥9.942447	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.717395 +10：￥19.688297 +100：￥15.664912 +500：￥13.255167 +1000：￥11.246761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.717395 +10：￥19.688297 +100：￥15.664912 +500：￥13.255167 +1000：￥11.246761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 下载数据手册晶体管	+1：￥27.112547 +10：￥22.376018 +100：￥17.966145 +500：￥15.042564 +1000：￥12.314977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78mOhm 15A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1710 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥11.628975 +6000：￥11.193765 +9000：￥10.819393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4620TRLPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥12.682596 +10：￥9.358218 +50：￥8.829778 +100：￥7.667208 +200：￥7.321318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR4620TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	78mOhm 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1710 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	144W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度:	-55°C # 175°C (TJ)