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IRFH4255DTRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

射频晶体管

+1:

¥5.816349

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 13V

功率 - 最大值: 31W,38W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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IRFH4255DTRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 13V

功率 - 最大值: 31W,38W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFH4255DTRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 13V

功率 - 最大值: 31W,38W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PQFN (5x6)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

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IRFH4255DTRPBF
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MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

晶体管

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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 13V

功率 - 最大值: 31W,38W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFH4255DTRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A,105A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1314pF 13V
功率 - 最大值: 31W,38W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PQFN(5x6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)