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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | 1+: | |||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™ |
IRF7555TR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 55 毫欧 4.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15nC 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1066pF 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.25W |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装: | Micro8™ |
| 温度: | - |