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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7506TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

射频晶体管

+1:

¥1.512

+10:

¥1.10025

+30:

¥1.026

+100:

¥0.95175

+500:

¥0.918

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7506TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

射频晶体管

+1:

¥3.698753

+10:

¥2.691503

+30:

¥2.509868

+100:

¥2.328232

+500:

¥2.245671

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF 25V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -

IRF7506TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)

供应商器件封装: Micro8™

IRF7506TR参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF 25V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
供应商器件封装: Micro8™
温度: -