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	IXFN210N30P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥525.867477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 268 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFN210N30P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥288.09729 +10：￥268.790157 +100：￥233.379314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 268 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFN210N30P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥704.762308 +10：￥657.531945 +100：￥570.907641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 268 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFN210N30P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B 下载数据手册	+1：￥691.991191 +10：￥645.413496 +30：￥618.432514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 268 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30P3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥409.729271 +25：￥397.477374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN210N30P3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	192A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.5 毫欧 105A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	268 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）