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	IXFN20N120P Zilog 授权代理品牌	IXFN20N120P 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

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	IXFN20N120P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥537.014198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 570 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 193 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN20N120P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B 下载数据手册	+300：￥659.20526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 570 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 193 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFN20N120P参数规格

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