品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 P-Channel

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 2W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 610pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22nC @ 4.5V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 700mV @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOP

Grade： -

Qualification： -

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 P-Channel

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 2W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 610pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22nC @ 4.5V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 700mV @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOP

Grade： -

Qualification： -

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 P-Channel

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 2W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 610pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22nC @ 4.5V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 700mV @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOP

Grade： -

Qualification： -