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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN45N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥293.594625 +10：￥275.805608 +100：￥251.800184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 74 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN45N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥718.210247 +10：￥674.693596 +100：￥615.96997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 74 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN45N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥740.392303 +10：￥695.449671 +30：￥672.910053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 74 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN45N80C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥519.015371 +1000：￥467.252038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXKN45N80C参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	74 毫欧 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	360 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	380W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）