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IRF9395MTR1PBF参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7 毫欧 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 64nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3241pF 15V |
功率 - 最大值: | 2.1W |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | DirectFET™ 等距 MC |
供应商器件封装: | DIRECTFET™ MC |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |