IRLHS6376TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRLHS6376TRPBF 共 25 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.11776 +300：￥4.137232 +1000：￥3.036858 +4000：￥2.200627 +8000：￥2.090638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.245399 +10：￥2.906654 +30：￥2.731818 +100：￥2.567908 +500：￥2.458636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.66012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1000：￥5.430157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLHS6376TRPBF 授权代理品牌	IRLHS6376TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.664622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.184554 +8000：￥2.148089 +12000：￥2.093449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.163221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.845546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 3.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.074745 +10：￥8.766118 +100：￥5.703331 +500：￥4.385814 +1000：￥3.960971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
	IRLHS6376TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.074745 +10：￥8.766118 +100：￥5.703331 +500：￥4.385814 +1000：￥3.960971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)

IRLHS6376TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	63 毫欧 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270pF 25V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）