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自营 现货库存
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IXFN400N15X3_未分类
IXFN400N15X3
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¥791.221766

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¥315.710685

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¥305.154942

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¥299.942634

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXFN400N15X3_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥270.885752

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¥241.37334

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¥211.864432

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 200A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 365 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 695W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXFN400N15X3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥662.658327

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¥590.463146

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¥518.276538

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 200A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 365 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 695W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFN400N15X3_未分类
IXFN400N15X3
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MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B

未分类

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¥750.658228

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¥674.87376

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¥651.027784

+50:

¥635.184911

+100:

¥592.229491

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 200A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 365 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 695W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXFN400N15X3_未分类
IXFN400N15X3
授权代理品牌
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¥543.167882

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¥539.271413

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¥535.219086

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¥533.037061

库存: 0

货期:7~10 天

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IXFN400N15X3_未分类
IXFN400N15X3
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场效应管, MOSFET, 模块, N沟道, 150V, 400AE

未分类

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¥427.906915

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¥393.264084

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¥358.608432

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¥346.620628

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¥339.684368

库存: 0

货期:7~10 天

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IXFN400N15X3_未分类
IXFN400N15X3
授权代理品牌

MOSFET, MODULE, N-CH, 150V, 400A

未分类

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¥452.661756

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¥416.016444

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¥379.359011

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¥366.659181

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¥359.327691

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFN400N15X3参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X3
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 200A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 365 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 695W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -55°C # 150°C(TJ)