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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.663107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 27µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 27µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥4.15087 +10000：￥3.959301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 27µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥7.172689 +10000：￥6.841658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 27µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.267132 +10：￥14.897587 +100：￥11.587288 +500：￥9.821053 +1000：￥8.000387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.267132 +10：￥14.897587 +100：￥11.587288 +500：￥9.821053 +1000：￥8.000387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Power - Max： 65W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 27µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-4 Part Status： Active

IPG20N06S2L35ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 27µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	790pF 25V
功率 - 最大值:	65W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）