搜索 IRFR1018ETRPBF 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +500: ¥1.112709 +1000: ¥1.087704 +2000: ¥1.0627 | 暂无参数 | |||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥2.543534 +2500: ¥2.395127 +7500: ¥2.289204 +12500: ¥2.22565 | 暂无参数 | |||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +5: ¥9.172119 +10: ¥7.373603 +50: ¥6.4844 +100: ¥5.695077 +200: ¥5.45532 | ||||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +5: ¥2.943261 +50: ¥2.825531 +200: ¥2.707801 +2500: ¥2.637185 +7500: ¥2.542955 | 暂无参数 | |||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +2500: ¥1.543461 +7500: ¥1.516604 +12500: ¥1.476319 +17500: ¥1.409177 | 暂无参数 | |||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +2000: ¥5.23314 | ||||
IRFR1018ETRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥16.601076 +100: ¥12.876513 +500: ¥10.641751 +1000: ¥7.843021 +6000: ¥7.196225 |
IRFR1018ETRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8.4 毫欧 47A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 69 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2290 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |