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	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.272253 +10：￥6.130198 +30：￥6.04278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.477791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥2.54145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥6.21706	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.194199 +10：￥13.661682 +100：￥9.54176 +500：￥7.698273 +1000：￥7.094437	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10
	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.194199 +10：￥13.661682 +100：￥9.54176 +500：￥7.698273 +1000：￥7.094437	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10

Mouser

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	IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥17.743696 +10：￥14.675862 +100：￥10.629635 +500：￥8.689437 +1000：￥7.893457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥6.276227 +10000：￥6.212768 +25000：￥6.150857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	双路场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 20A, TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥12.616604 +10：￥9.978003 +100：￥8.018268 +500：￥7.044805 +1000：￥5.635843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPG20N04S4L11AATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.6mOhm 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1990pF 25V
功率 - 最大值:	41W
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount, Wettable Flank
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-10
温度:	-55°C # 175°C (TJ)