IPG20N04S4L11ATMA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IPG20N04S4L11ATMA1 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.90976 +200：￥4.9248 +500：￥3.93984 +1000：￥3.2832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.894356 +200：￥1.901027 +500：￥1.827506 +1000：￥1.795998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥3.432876 +10000：￥3.274434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥5.988124 +10000：￥5.711744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.202076 +10：￥12.435798 +100：￥9.673258 +500：￥8.199154 +1000：￥6.67907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.202076 +10：￥12.435798 +100：￥9.673258 +500：￥8.199154 +1000：￥6.67907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1990pF 25V 功率 - 最大值： 41W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N04S4L11ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.6 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1990pF 25V
功率 - 最大值:	41W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）