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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.441266 +10：￥2.239508 +30：￥2.199157 +100：￥2.078102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+20：￥6.7276 +100：￥4.5496 +1000：￥3.3396 +4000：￥2.42 +8000：￥2.299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.243163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥5.78493 +10：￥5.399275 +30：￥4.764035 +100：￥4.262547 +500：￥4.04943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+100：￥3.989141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7380TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7380TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.762429 +1000：￥3.569444 +4000：￥3.473003 +8000：￥3.376563 +16000：￥3.247871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥5.752467 +30：￥4.351187 +100：￥3.922108 +500：￥3.775393 +2000：￥3.669467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.764162 +10：￥5.489573 +50：￥5.329821 +100：￥5.174584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7380TRPBF 授权代理品牌	IRF7380TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.196087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7380TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.368655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 73 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7380TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	73 毫欧 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）