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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥13.017744 +100：￥10.604016 +300：￥8.504928 +500：￥7.593696 +1000：￥7.048512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.709255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7389TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.626412 +150：￥1.563911 +4000：￥1.376196 +16000：￥1.351216 +28000：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.197982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥5.526102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.05915 +10：￥11.649224 +100：￥9.078998 +500：￥7.499651 +1000：￥5.920765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.05915 +10：￥11.649224 +100：￥9.078998 +500：￥7.499651 +1000：￥5.920765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥16.298174 +10：￥14.575603 +100：￥11.35572 +500：￥9.381388 +1000：￥7.407057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7389TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥5.101613	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7389TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）