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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.0176 +10：￥11.06496 +30：￥9.11232 +100：￥8.136 +500：￥7.48512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.686521 +10：￥3.087856 +30：￥2.825283 +100：￥2.510195 +500：￥2.363155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.7432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7311TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF7311TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.839394 +9000：￥0.824808 +15000：￥0.802929 +33000：￥0.766348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7311TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7311TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.271535 +4000：￥1.197332 +12000：￥1.144429 +24000：￥1.112594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+20：￥11.446239 +1000：￥10.531117 +2000：￥10.215164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7311TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7311TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.471688 +25：￥1.412766 +100：￥1.353958 +4000：￥1.318535 +12000：￥1.271535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥9.628794 +2000：￥9.339203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.267966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7311TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7311TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）