搜索 IFS100B12N3E4B31BOSA1 共 6 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IFS100B12N3E4B31BOSA1 授权代理品牌 | 1+: |
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | IFS100B12N3E4B31BOSA1 授权代理品牌 | 1+: |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IFS100B12N3E4B31BOSA1 授权代理品牌 | 模块, IGBT, 1.2KV, 100A, 焊接 | +1: ¥1991.901653 +5: ¥1894.216216 +10: ¥1796.518152 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IFS100B12N3E4B31BOSA1 授权代理品牌 | Days to ship 3 | +1: ¥2098.308192 +5: ¥2079.404515 +10: ¥2069.952675 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IFS100B12N3E4B31BOSA1 授权代理品牌 | IGBT MODULE, 1.2KV, 100A, SOLDER | +1: ¥2131.906844 +5: ¥2089.278606 +10: ¥2046.638302 | 暂无参数 |
IFS100B12N3E4B31BOSA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 托盘 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
配置: | 全桥 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 200 A |
功率 - 最大值: | 515 W |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.1V 15V,100A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 1 mA |
不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 6.3 nF 25 V |
输入: | 标准 |
NTC 热敏电阻: | 是 |
工作温度: | -40°C # 150°C |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | 模块 |
供应商器件封装: | 模块 |
温度: | -40°C # 150°C |