锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IFS100B12N3E4B31BOSA16 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_晶体管IGBT
IFS100B12N3E4B31BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 200A 515W

晶体管IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A

功率 - 最大值: 515 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 200A 515W

晶体管IGBT

+1:

¥3601.143542

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A

功率 - 最大值: 515 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_晶体管IGBT
IFS100B12N3E4B31BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 200A 515W

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A

功率 - 最大值: 515 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_未分类
IFS100B12N3E4B31BOSA1
授权代理品牌

模块, IGBT, 1.2KV, 100A, 焊接

未分类

+1:

¥1991.901653

+5:

¥1894.216216

+10:

¥1796.518152

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_未分类
IFS100B12N3E4B31BOSA1
授权代理品牌
+1:

¥2098.308192

+5:

¥2079.404515

+10:

¥2069.952675

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IFS100B12N3E4B31BOSA1_未分类
IFS100B12N3E4B31BOSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE, 1.2KV, 100A, SOLDER

未分类

+1:

¥2131.906844

+5:

¥2089.278606

+10:

¥2046.638302

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IFS100B12N3E4B31BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A
功率 - 最大值: 515 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C