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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.930629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A，8.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.8 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.697451 +8000：￥2.452189 +12000：￥2.338997 +28000：￥2.263559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A，8.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.8 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7905TRPBF International 授权代理品牌	IRF7905 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册	+1：￥3.228516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.661186 +8000：￥4.237374 +12000：￥4.041779 +28000：￥3.911423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A，8.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.8 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.74974 +10：￥9.612986 +25：￥9.12863 +100：￥6.845237 +250：￥6.779998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A，8.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.8 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7905TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥6.569059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7905TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.8A，8.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21.8 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）