IPG16N10S461ATMA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IPG16N10S461ATMA1 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.4216 +10：￥7.15836 +30：￥5.89512 +100：￥5.2635 +500：￥4.84242	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.44178 +10：￥4.873562 +30：￥4.633162 +100：￥4.327199 +500：￥4.196072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.45468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册未分类	+5：￥10.113943 +10：￥7.619841 +50：￥6.480713 +100：￥5.547939 +200：￥5.253325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥2.434405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥7.33019 +10000：￥7.190359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥28.302476 +10：￥18.021792 +100：￥12.122639 +500：￥9.594081 +1000：￥8.780806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥28.302476 +10：￥18.021792 +100：￥12.122639 +500：￥9.594081 +1000：￥8.780806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥12.934656 +10：￥12.835161 +100：￥10.579887 +500：￥9.021095 +1000：￥8.274865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 9µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 25V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥6.847356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPG16N10S461ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	61 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 9µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490pF 25V
功率 - 最大值:	29W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）