IPC100N04S51R9ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥11.157552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.12185 +10：￥8.443896 +30：￥7.220614 +100：￥6.203016 +500：￥6.040634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.327946	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S51R9ATMA1 授权代理品牌	IPC100N04S51R9ATMA1 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥19.898317 +300：￥19.569419 +500：￥19.076072 +1000：￥18.747175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.245932 +10000：￥5.072309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥9.064954 +10000：￥8.764933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.887573 +10：￥17.355676 +100：￥13.809851 +500：￥11.685396 +1000：￥9.914761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.887573 +10：￥17.355676 +100：￥13.809851 +500：￥11.685396 +1000：￥9.914761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34

Mouser

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	IPC100N04S51R9ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+1：￥26.556841 +10：￥22.211177 +100：￥17.704561 +250：￥17.22171 +500：￥14.871832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPC100N04S51R9ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3770 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）