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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.64 +10：￥7.344 +30：￥6.048 +100：￥5.4 +500：￥4.968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥5.060492 +10：￥4.275426 +30：￥3.882893 +100：￥3.585841 +500：￥3.299399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.72734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.346791 +8000：￥2.112112 +12000：￥1.955659 +28000：￥1.92434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.055246 +8000：￥3.649722 +12000：￥3.379373 +28000：￥3.325254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.13194 +10：￥8.92105 +25：￥8.382326 +100：￥6.082871 +250：￥5.86664	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.9 毫欧 8.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6372TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥6.128221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL6372TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17.9 毫欧 8.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1020pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）