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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.292558 +300：￥6.284135 +1000：￥4.612883 +4000：￥3.342625 +8000：￥3.175524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.747202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7303TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7303TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.28629 +100：￥1.264894 +1000：￥1.232747 +3000：￥1.157704 +10000：￥1.136201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+100：￥7.108484 +500：￥5.868695 +1000：￥4.638961 +2500：￥4.509027 +4000：￥4.239104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+5：￥9.465838 +10：￥7.079771 +50：￥6.029017 +100：￥5.164952 +200：￥4.899833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7303TRPBF 授权代理品牌	IRF7303TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥2.93018 +30：￥2.881344 +50：￥2.856926 +100：￥2.80809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.946619 +200：￥2.806546 +1000：￥2.750517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.36332 +100：￥3.488156 +1000：￥3.113085 +2000：￥2.938052 +4000：￥2.800526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.204054 +8000：￥2.050583 +12000：￥2.012185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7303TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）