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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.5A 2W 表面贴装型 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.220187 +30：￥9.839824 +100：￥9.079099 +500：￥8.318374 +1000：￥7.938012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥5.701641 +300：￥3.855786 +1000：￥2.830311 +4000：￥2.05095 +8000：￥1.948463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.409308 +10：￥2.666254 +30：￥2.338436 +100：￥1.945054 +500：￥1.748363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.01586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.370773 +10：￥3.063539 +30：￥2.399178 +100：￥2.121695 +300：￥2.042283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.166263	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7313TRPBF 授权代理品牌	IRF7313TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.075318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7313TRPBF 授权代理品牌	IRF7313TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.42029 +500：￥1.311127 +2000：￥1.20173 +6000：￥1.092567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7313TRPBF 授权代理品牌	IRF7313TRPBF TECH PUBLIC/台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.233681 +9000：￥1.196521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.972972 +8000：￥1.869113 +12000：￥1.730673 +28000：￥1.71356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7313TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）