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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.635221 +10：￥5.090107 +30：￥4.241776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.40369 +10：￥3.627854 +30：￥3.245399 +100：￥2.862945 +500：￥2.382145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.08308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.045177 +8000：￥1.937539 +12000：￥1.793983 +28000：￥1.776257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥5.003043 +8000：￥4.739734 +12000：￥4.388556 +28000：￥4.345195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.122737 +10：￥11.411075 +100：￥7.899316 +500：￥6.600453 +1000：￥5.617388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.122737 +10：￥11.411075 +100：￥7.899316 +500：￥6.600453 +1000：￥5.617388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥15.001193 +10：￥13.044515 +100：￥9.033328 +500：￥7.549514 +1000：￥6.424424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7104TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.679456 +10：￥9.857645 +25：￥9.669213 +100：￥7.432946 +250：￥7.358196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF7104TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥4.002388 +8000：￥3.894363 +12000：￥3.815054 +24000：￥3.776767 +28000：￥3.738479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7104TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）