IRF7507TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRF7507TRPBF 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.421414 +10：￥6.308214 +30：￥5.195014 +100：￥4.267307 +500：￥3.710707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.04747 +10：￥9.60507 +30：￥8.709034 +100：￥7.791144 +500：￥6.228544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.876775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册未分类	+21：￥7.044021 +100：￥5.410184 +500：￥4.285357 +1000：￥3.42822 +2500：￥3.120311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册未分类	+4000：￥2.704366 +8000：￥2.633869 +12000：￥2.586834 +16000：￥2.335905 +24000：￥2.212227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册未分类	+4000：￥1.577751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.7783 +8000：￥2.731995 +12000：￥2.662538 +16000：￥2.616233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.611449 +8000：￥1.526589 +12000：￥1.413561 +28000：￥1.399536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7507TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.942029 +8000：￥3.73444 +12000：￥3.457944 +28000：￥3.423637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A，1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260pF 15V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7507TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A，1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 1.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	260pF 15V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
供应商器件封装:	Micro8™
温度:	-55°C # 150°C（TJ）