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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.502735 +300：￥6.42631 +1000：￥4.717185 +4000：￥3.41825 +8000：￥3.247398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.039683 +10：￥1.017311 +30：￥1.002503 +100：￥0.987589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.66012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.825531 +20：￥2.778532 +30：￥2.731416 +40：￥2.684185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.702157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.261565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.08612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.572291 +10：￥5.700748 +100：￥3.943376 +500：￥3.295575 +1000：￥3.08612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.572291 +10：￥5.700748 +100：￥3.943376 +500：￥3.295575 +1000：￥3.08612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7503TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 下载数据手册未分类	+1：￥7.513115 +10：￥6.516812 +100：￥4.442538 +500：￥3.772891 +1000：￥3.527898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7503TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	135 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210pF 25V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
供应商器件封装:	Micro8™
温度:	-55°C # 150°C（TJ）