IXKN40N60C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN40N60C Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥584.5106 +200：￥233.220724 +500：￥225.42958 +1000：￥221.583181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN40N60C 授权代理品牌	IXKN40N60C 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SOT-227-4,miniBLOC

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN40N60C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥124.326131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN40N60C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥304.134658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKN40N60C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥646.844875 +10：￥563.196925 +20：￥525.530889 +50：￥508.083849 +100：￥476.287845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IXKN40N60C参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	250 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	290W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-40°C # 150°C（TJ）