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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7389PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥2.479532

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7389PBF_射频晶体管

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥3.754234

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7389PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7389PBF_未分类
IRF7389PBF
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 2.5W

FET Type: N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss): 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SO

Part Status: Active

IRF7389PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO