IDB06S60CATMA2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IDB06S60CATMA2 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB06S60CATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 80 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 280pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： - 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB06S60CATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 80 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 280pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： - 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB06S60CATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 80 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 280pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： - 温度：
	IDB06S60CATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+127：￥29.482825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Speed： No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F： 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 6A Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction： - Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 80 µA @ 600 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB06S60CATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 80 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 280pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： - 温度：

IDB06S60CATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	Digi-Key 停止提供
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	6A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 6 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	80 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	280pF 1V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
工作温度 - 结:	-
温度: