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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.714962 +200：￥2.218236 +500：￥2.141745 +1000：￥2.098036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1038 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等容 S1 封装/外壳： DirectFET™ 等容 S1 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1038 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等容 S1 封装/外壳： DirectFET™ 等容 S1 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1038 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等容 S1 封装/外壳： DirectFET™ 等容 S1 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric S1 供应商器件封装： DIRECTFET S1
IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric S1 供应商器件封装： DIRECTFET S1
IRF6810STRPBF International 授权代理品牌	PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM, 下载数据手册未分类	+378：￥9.843967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.2mOhm @ 16A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 25µA Supplier Device Package： DIRECTFET S1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1038 pF @ 13 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6810STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 25V 16A S1 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1038 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等容 S1 封装/外壳： DirectFET™ 等容 S1 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6810STRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.2 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1038 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），20W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等容 S1
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 S1
温度:	-40°C # 150°C（TJ）