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自营 现货库存
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IXFK26N100P_未分类
IXFK26N100P
授权代理品牌
+1:

¥495.027186

+200:

¥197.521333

+500:

¥190.921261

+1000:

¥187.664935

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IXFK26N100P_未分类
IXFK26N100P
授权代理品牌

IXFK26N100P 美国力特

未分类

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Digi-Key
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IXFK26N100P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+300:

¥325.742567

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 780W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFK26N100P_晶体管
IXFK26N100P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

晶体管

+1:

¥575.633867

+10:

¥417.676713

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 780W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFK26N100P参数规格

属性 参数值