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搜索 IRF7314PBF 共 10 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
+1：

￥6.904986

+10：

￥5.869226

+30：

￥4.833466

+100：

￥4.315586

+500：

￥3.970373

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

自营 现货库存
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IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
+1：

￥4.217926

+10：

￥3.453017

+30：

￥3.070563

+100：

￥2.688108

+500：

￥2.458636

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

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IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
+1：

￥2.352724

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

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IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

自营 国内现货
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IRF7314PBF_null
IRF7314PBF
International
授权代理品牌

P-CHANNEL POWER MOSFET

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+1：

￥2.47698

+100：

￥2.20212

+250：

￥2.064353

+500：

￥1.816695

+4000：

￥1.720305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
+1：

￥2.47698

+100：

￥2.20212

+250：

￥2.064353

+500：

￥1.816695

+4000：

￥1.720305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

Digi-Key
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IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌

P-CHANNEL POWER MOSFET

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射频晶体管
+1：

￥6.059349

+100：

￥5.386969

+250：

￥5.049954

+500：

￥4.444117

+4000：

￥4.208322

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Discontinued at Digi-Key

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58mOhm 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)

IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌

P-CHANNEL POWER MOSFET

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射频晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58mOhm 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)

IRF7314PBF_射频晶体管
IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

Mouser
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IRF7314PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

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射频晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： HEXFET®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

IRF7314PBF参数规格

属性 参数值