品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5mOhm 9.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V

功率 - 最大值： 2W (Ta)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 175°C (TJ)