IAUT165N08S5N029ATMA2厂家价格_数据手册

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.985481 +10：￥35.99024 +30：￥29.991907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.078704 +10：￥20.619758 +30：￥20.313795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.174261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥8.582955 +6000：￥8.234507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥20.996183 +6000：￥20.143785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.148515 +10：￥36.219036 +100：￥29.2967 +500：￥26.041702 +1000：￥22.298353	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.148515 +10：￥36.219036 +100：￥29.2967 +500：￥26.041702 +1000：￥22.298353	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥49.325236 +10：￥41.485463 +25：￥40.342163 +100：￥33.482362 +250：￥32.50239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥24.761731	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥37.041858 +10：￥24.341792 +50：￥19.627374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUT165N08S5N029ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6370 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）