IRF2804STRL7PP厂家价格_数据手册

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.61328 +10：￥21.3444 +30：￥17.07552 +100：￥14.2296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥17.625687 +10：￥14.948505 +30：￥13.276633 +100：￥9.637852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥17.549328 +1600：￥17.024454 +2400：￥16.507288 +3200：￥16.103969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥23.369981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.9289 +1600：￥10.903897 +2400：￥10.358699 +5600：￥9.96923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥31.627515 +1600：￥26.673821 +2400：￥25.340123 +5600：￥24.387378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.456444 +10：￥45.338512 +100：￥37.152714	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.456444 +10：￥45.338512 +100：￥37.152714	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

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	IRF2804STRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥57.852955 +10：￥48.735727 +25：￥45.917674 +100：￥39.452732 +250：￥37.131983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6930 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF2804STRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 毫欧 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	260 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6930 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）