IRFS7730TRL7PP厂家价格_数据手册

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	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥28.508205 +100：￥19.27893 +400：￥14.151555 +800：￥10.25475 +1600：￥9.742073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥24.973582 +10：￥22.756302 +30：￥21.440786 +100：￥20.33745 +500：￥19.605429	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.486622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥15.386853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥37.64032	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.787015 +10：￥53.751644 +100：￥44.039798	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.977053 +10：￥23.463963 +30：￥22.07693 +100：￥20.689898 +500：￥20.078942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7730TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥59.190891 +10：￥53.159592 +100：￥43.621723 +500：￥37.169636 +800：￥32.540963	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 428 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7730TRL7PP 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥17.099489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS7730TRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	428 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13970 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）