IRFH5025TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFH5025TRPBF 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.016986 +10：￥54.414426 +30：￥44.811866 +100：￥40.010586 +500：￥36.809773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.328174 +10：￥28.847993 +30：￥26.181739 +100：￥23.482703 +500：￥22.236994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.6722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥13.735118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥33.599737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.411623 +10：￥47.985457 +100：￥39.312089 +500：￥33.599737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 下载数据手册未分类	+1：￥51.775165 +10：￥44.915364 +25：￥44.425379 +100：￥40.66882 +500：￥40.505492	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5025TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥46.360851 +10：￥41.046314 +25：￥40.254787 +100：￥32.879768 +250：￥31.598249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFH5025TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥20.286955	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFH5025TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2150 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）