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IRL2910STRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥22.492085

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¥11.963875

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¥11.365651

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IRL2910STRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRL2910STRLPBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IRL2910STRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IRL2910STRLPBF_未分类
IRL2910STRLPBF
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MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

未分类

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库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

未分类

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¥12.565148

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¥12.237321

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¥12.018838

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¥10.233064

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

自营 国内现货
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¥11.512002

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¥9.281546

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¥8.904713

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

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封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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¥46.577536

+10:

¥39.162279

+100:

¥31.681297

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

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¥34.137972

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

IRL2910STRLPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26mOhm 29A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度: -55°C # 175°C (TJ)