IRL2910STRLPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRL2910STRLPBF 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥33.259633 +100：￥22.492085 +400：￥16.510208 +800：￥11.963875 +1600：￥11.365651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.456469 +10：￥13.997833 +30：￥12.468015 +100：￥10.894488 +500：￥9.594143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.33232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥31.960963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥12.565148 +1600：￥12.237321 +2400：￥12.018838 +3200：￥10.798227 +4800：￥10.233064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥11.512002 +1600：￥9.857135 +2400：￥9.281546 +5600：￥8.904713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥28.161407 +1600：￥24.113162 +2400：￥22.705121 +5600：￥21.783287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.577536 +10：￥39.162279 +100：￥31.681297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.577536 +10：￥39.162279 +100：￥31.681297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥53.248701 +10：￥44.755045 +25：￥42.141611 +100：￥36.098047 +250：￥34.137972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26mOhm 29A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRL2910STRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26mOhm 29A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C (TJ)