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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥12.260397 +10：￥10.610379 +30：￥9.583216 +100：￥8.523271 +500：￥8.053398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5185 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.90936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5185 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥8.669612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5185 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥14.98106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5185 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.369612 +10：￥28.1853 +100：￥22.651226 +500：￥18.610585 +1000：￥15.420235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.369612 +10：￥28.1853 +100：￥22.651226 +500：￥18.610585 +1000：￥15.420235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH5030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥46.122554 +10：￥41.360639 +100：￥33.197355 +500：￥27.347002 +1000：￥22.72114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5185 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH5030TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥40.713373 +10：￥36.341656 +25：￥33.702803 +50：￥31.098402 +100：￥28.532283	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLH5030TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	94 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5185 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）