IAUC120N04S6L008ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥38.010577 +300：￥25.704998 +1000：￥18.868619 +5000：￥13.672879 +10000：￥12.989229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.812069 +10：￥13.549815 +30：￥13.374978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.006781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	+1：￥28.400978 +10：￥24.0611 +100：￥19.711838 +250：￥19.069654 +500：￥15.711486	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥15.850366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.574914 +10：￥22.060036 +100：￥17.55516 +500：￥15.850366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33
IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.574914 +10：￥22.060036 +100：￥17.55516 +500：￥15.850366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33

Mouser

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	+1：￥29.725805 +10：￥24.49929 +100：￥20.089418 +500：￥18.129474 +5000：￥17.966145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IAUC120N04S6L008ATMA1 授权代理品牌	IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+5000：￥16.325552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥22.724466 +10：￥20.43143 +25：￥20.238004 +100：￥19.617167 +250：￥18.994773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUC120N04S6L008ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.8 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7910 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）