品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），104A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4270 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）