IPB120N04S402ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.528759 +200：￥9.6074 +500：￥7.68592 +1000：￥6.404893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.823306 +200：￥4.578526 +500：￥4.414617 +1000：￥4.338126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.523603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥13.135183 +300：￥13.074932 +500：￥13.014683 +1000：￥12.954434 +5000：￥12.773684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥9.16456 +2000：￥8.629388 +5000：￥8.279012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥22.41894 +2000：￥21.109769 +5000：￥20.252658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.434267 +10：￥36.404775 +100：￥29.455293 +500：￥26.182577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.434267 +10：￥36.404775 +100：￥29.455293 +500：￥26.182577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB120N04S402ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥35.115648 +10：￥30.869104 +25：￥30.705777 +100：￥26.622561 +250：￥26.459232	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 134 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10740 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 158W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥19.567251 +10：￥18.852821 +25：￥18.664075 +100：￥18.055718 +250：￥18.019841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB120N04S402ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	134 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10740 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	158W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）