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	IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.01032 +200：￥62.5086 +500：￥50.00688 +1000：￥41.6724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥73.971995 +200：￥28.630933 +500：￥27.622653 +1000：￥27.129017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.40354	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME
IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME

Mouser

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	IRF7780MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥46.266272 +10：￥38.80397 +25：￥36.648194 +100：￥31.341668 +250：￥29.683379	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 186 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6504 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7780MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.7 毫欧 53A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	186 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6504 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	96W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ Isometric ME
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric ME
温度:	-55°C # 150°C（TJ）