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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRLR3636PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRLR3636PBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

自营 现货库存
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

自营 国内现货
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IRLR3636PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

Digi-Key
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IRLR3636PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRLR3636PBF_未分类
IRLR3636PBF
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IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 143W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA

Supplier Device Package: D-Pak

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

Mouser
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IRLR3636PBF_未分类
IRLR3636PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRLR3636PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: D-Pak